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新型IGBT帮助优化软开关应用中的损耗
作者::O.Hellmund, 陈子颖, W.Frank

IGBT技术进步主要体现在两个方面:通过采用和改进沟槽栅来优化垂直方向载流子浓度,以及利用“场终止”概念(也有称为“软穿通”或“轻穿通”)降低晶圆n衬底的厚度。

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