工业控制

F-RAM存储器将推动下一代汽车创新

非易失性铁电存储器（F-RAM），因具高写入速度、高耐用性及低功耗等特性正引起汽车电子产品开发商进行市场攻势的新亮点。F-RAM的写入速度比E2PROM快1000倍，使用次数比E2PROM多出10亿次，而其功耗只是E2PROM的一小部分。

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